Forge nano transforma la fabricación avanzada de chips semiconductores con recubrimientos de capas atómicas de alta velocidad y relación de aspecto de 1000:1
La innovadora tecnología de flujo turbulento elimina el cuello de botella más persistente en la fabricación de semiconductores, lo que permite la producción a alta velocidad de chips de inteligencia artificial y arquitecturas 3D de próxima generación.
DENVER, 5 de febrero de 2026 (GLOBE NEWSWIRE) — Forja Nano, Inc.La empresa de tecnología pionera en innovaciones nacionales en baterías y semiconductores anunció hoy un avance que redefinirá fundamentalmente la economía y la arquitectura de la fabricación avanzada de semiconductores. La empresa demostró recubrimientos ALD libres de defectos y de alta velocidad con características semiconductoras con una relación de aspecto de 1000:1. La conformidad se mantiene a escala de producción y al mismo tiempo proporciona 2 órdenes de magnitud más de cobertura que las técnicas de línea de visión.
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Este avance elimina la barrera principal que limita el escalado de semiconductores 3D y permite arquitecturas que antes se consideraban antieconómicas o imposibles.
La demostración se realizó con obleas representativas de la producción que suministraba. C2MIes un centro líder de innovación en fabricación y desarrollo de procesos de semiconductores en Canadá cuya conformidad, defectos y rendimiento eléctrico se verifican de forma independiente a través de pruebas internas de metrología y confiabilidad de nuestros socios.
Si bien la industria ALD generalmente depende de procesos de flujo laminar, Forge Nano ha desarrollado un enfoque de flujo turbulento patentado que desbloquea un rendimiento que antes era inalcanzable con ALD de alta velocidad. Aprovechando la tecnología de plataforma de recubrimiento Atomic Armor™ y las herramientas de fabricación TEPHRA™ de próxima generación, Forge Nano ha logrado recubrimientos ALD conformales con características extremas a nanoescala, en un sistema donde las técnicas de deposición tradicionales fallan y otras herramientas ALD luchan por lograr el rendimiento. También se ha demostrado que el proceso de recubrimiento Atomic Armor ALD de Forge Nano es 10 veces más rápido que las capacidades de recubrimiento de la competencia para recubrimientos de alta relación de aspecto: el proceso de mayor rendimiento y contención de costos de la industria.
«Los chips de inteligencia artificial y los dispositivos apilados en 3D están exponiendo los eslabones más débiles de la industria: interfaces, defectos y contaminación», afirmó Paul Lichty, director ejecutivo de Forge Nano. «Al lograr lo que la industria pensaba que era imposible: ALD conformado de alta velocidad con una relación de aspecto de 1000:1 con un rendimiento a escala de producción, esencialmente hemos eliminado el principal cuello de botella que limita la próxima generación de arquitecturas de semiconductores. Sólo el flujo turbulento puede desbloquear la relación de aspecto ultra alta crítica para los procesos 3D; necesitamos más que solo arquitecturas 3D. Cómo se pueden fabricar semiconductores avanzados».
Romper la limitación que ha dado forma a una década de diseño de chips
Para los principales nodos semiconductores de la actualidad, ALD ya es uno de los pasos más lentos y de mayor costo en la fábrica. Estas pérdidas de productividad se toleran sólo porque no existe una alternativa viable.
El avance de Forge Nano cambia completamente esta ecuación al ofrecer simultáneamente una relación de aspecto de 1000:1, uniformidad y velocidad de película de calidad ALD. Es una de las pocas innovaciones en semiconductores que puede mejorar simultáneamente el rendimiento, el rendimiento y el costo.
Memoria 3D NAND: una nueva hoja de ruta
Los dispositivos NAND actuales tienen entre 200 y 300 capas. Ir más allá requiere procesos cada vez más complicados y costes cada vez mayores. Mantener un alto rendimiento para una mayor relación de aspecto en la fabricación permite una memoria flash 3D NAND de mayor densidad para aplicaciones informáticas avanzadas.
DRAM y HBM: Rompiendo la pared de los condensadores
Para la DRAM y la memoria de alto ancho de banda (HBM), fundamentales para los aceleradores de IA, el escalado del condensador es el factor limitante. Fast 1000:1 ALD permite condensadores con dieléctricos más profundos, más delgados y más uniformes, extendiendo el escalado de DRAM a través de los nodos, lo que muchos expertos dicen que es la «pared del condensador».
Desarrollo de materiales en Fab Economics.
ALD es uno de los pasos de mayor costo en la fabricación de semiconductores en la actualidad, lo que a menudo limita el rendimiento superior y obliga a comprar herramientas duplicadas simplemente debido a la capacidad.
Un rápido proceso AR ALD 1000:1 proporciona:
Aumento de inicios de obleas diariamente
Capex reducido por nodo
Mayor eficiencia energética y precursora.
Menor costo por bit (memoria)
Eliminar el cuello de botella de ALD que actualmente limita las transiciones de nodos
Implicaciones que cambian la industria
Este avance representa un cambio a nivel de plataforma en la fabricación de semiconductores:
Libertad arquitectónica: hace posibles diseños que antes se consideraban antieconómicos o imposibles.
Dinámica competitiva: transfiere el poder a los fabricantes que adoptan esta tecnología primero
Su importancia estratégica: crea capacidades relevantes para la seguridad nacional en la producción de semiconductores avanzados.
Posicionamiento en el mercado: crea un nuevo líder de categoría en la tecnología de aislamiento más crítica para chips de próxima generación.
Al combinar una conformidad de relación de aspecto extrema con un rendimiento a escala de producción, Forge Nano está redefiniendo las posibilidades del diseño de chips avanzado y posicionando a Atomic Armor ALD como una tecnología fundamental para el futuro de la IA y los dispositivos integrados 3D.
Acerca de Forge Nano
Forge Nano es una empresa de tecnología pionera en innovaciones de semiconductores y baterías domésticas con su tecnología de plataforma Atomic Armor™. Atomic Armor™ es un sistema de recubrimiento a nanoescala adaptable y escalable que fortalece los sistemas más críticos de Estados Unidos, a nivel atómico. Los recubrimientos de superficie superiores producidos con nuestro proceso Atomic Armor™ permiten a nuestros socios alcanzar el máximo rendimiento. Más información: https://www.forgenano.com.
Relaciones con los medios Will McKenna Director de Comunicación de la marca Forge Nano wmckenna@forgenano.com
Una foto que acompaña al anuncio está disponible en https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/5273ac18-b480-42b8-a36a-6971a9ef50d3.
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